尽管总数量令人可喜，截至但是其中独立研究的工作却仅有6篇，这说明我们国家的独立科研水平能力还有待提高。
目前b.短沟道器件的输出特性。山生a.采用接触式光刻对准的大规模范德华异质集成的示意图。
基于此方法制备出高电压增益的反相器和多种逻辑电路，普通表明了该大规模范德华集成技术可以推动二维半导体与半导体工业的成熟的技术相融合，普通促进二维半导体的技术转型。通过对比基于单层MoS2的大规模范德华接触FET和传统蒸镀接触FET，高校作者证明了范德华接触可以避免传统工艺所带来的损伤，高校并且基于此制备出的FET具有更好的性能和可重复性。©SpringerNatureLimited 五、招生【成果启示】本文作者展示了范德华集成工艺可应用于晶圆级二维半导体电子器件的制备，招生同时，通过接触式光刻技术，可以实现大面积、高精度批量对准。
已录©SpringerNatureLimited图5范德华集成的MoS2的逻辑门和半加器。取考f.对准误差分析的示意图。
截至b-d.NOR,NAND,AND逻辑门的输出特性。
目前a.具有6nm的HfO2电介质的短沟道器件的光学显微图像。招聘：山生具备客户服务技能的机器人现在想象一下，一个聊天机器人立即接通了客服电话，并且它的名字和声音竟是你所熟悉的。
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